|
說實話，u盤啟動快捷鍵 無法u盤啟動程序，eUFS 3.0 閃存技術如此快速進入量產階段令人欣喜，畢竟一個月前三星才發布了 1TB 容量的 eUFS 2.1 閃存解決方案，其讀取速度是 512GB eUFS 3.0 的一半。在過去三年時間里，三星的閃存儲存技術從未迎來如此飛躍式的提升。從上圖可以看到， 2016 年的 256GB eUFS 2.0 讀取速度就已經達到了 850MB/s，但直到去年仍沿用 512GB 版。
根據三星公布的信息了解，eUFS 3.0 閃存的讀取速度是 eUFS 2.1 的兩倍，寫入速度則是 eUFS 2.1 的 1.5 倍以上。更具體來說，eUFS 3.0 閃存的連續讀取速度達到了 2100 MB/s，寫入速度也提升到了 410MB/s。隨記讀寫性能比目前 eUFS 2.1 提高了 36％，分別高達 63000 IOPS 和 68000 IOPS，比一般 microSD 卡（100 IOPS）快 630 倍。 2 月 28 日消息，日前，三星電子(Samsung Electronics)宣布，制作u盤啟動盤win7，業內首款基于第五代 V-NAND 的 512GB eUFS 3.0 嵌入式通用閃存解決方案，已經開始進入批量生產階段。
三星明確，eUFS 3.0 閃存技術將會應用于下一代智能手機當中，包括即將上市的三星 Galaxy Fold 可折疊智能手機。
三星最后確認，512GB eUFS 3.0和 128GB eUFS 3.0 閃存芯片將在本月底開始出貨，而 1TB 和 256GB 閃存計劃到今年下半年才正式量產。 三星表示，新的 eUFS 3.0 解決方案比 SATA 固態硬盤(SSD)速度還要“快 4 倍”，比普通的 microSD 卡“快 20 倍”，在高端智能手機上“大約 3 秒內就能將一部 1080p FULL HD 全高清電影傳輸到 PC”。
好了，以上所寫就是u盤啟動按什么鍵,三星512GB eUFS 3.0閃存正式量產 速度達2100MB/s的全部內容，由本站作者：Blinkfox哥的原創文章僅此參考，具體的u盤技術操作和了解更多的u盤知識請關注本站u盤啟動。轉載請注明，謝謝！ |
