<rp id="hldxv"></rp>
    <listing id="hldxv"></listing>

      <var id="hldxv"><font id="hldxv"></font></var>
        <address id="hldxv"><video id="hldxv"></video></address>

        <mark id="hldxv"><progress id="hldxv"></progress></mark>

        <th id="hldxv"></th>

          u盤精靈

          當前位置: 首頁 > U盤技術 > U盤量產 >

          閃迪發布旗下首款UFS2.1閃存 連續寫入最高600BM/

          發布時間:2018-05-30 13:00來源:http://www.radioplusfm.com 作者:u盤精靈 點擊:
          原標題:閃迪發布旗下首款UFS2.1閃存 連續寫入最高600BM/S 2017年12月5日,閃迪閃存

          原標題:閃迪發布旗下首款UFS2.1閃存 連續寫入最高600BM/S

          2017年12月5日,閃迪閃存發布了旗下新一代iNAND嵌入式閃存芯片,什么是u盤量產,其中包含了UFS和eMMC兩種標準的嵌入式閃存芯片。

          根據閃迪的官方介紹,這兩款芯片都采用了閃迪的64層3D堆疊技術,其中型號為iNAND 8521為UFS2.1閃存,而iNAND 7550則是eMMC閃存。iNAND 8521的連續寫入速度高達600MB/S,隨機讀取速度則是比上一代的iNAND 7232快了10倍。iNAND 7550的連續寫入速度260MB/S。閃迪表示這兩款芯片都已經交付工廠進行樣品生產,u盤啟動盤 win0,兩者的最高容量版本為256GB。

          巧合的是,在同一天,三星官方也宣布旗下的512GB eUFS2.1閃存已經進入了量產階段。相比之下,三星的這個512GB閃存在性能上要比閃迪今天公布的強不少,三星表示,這個512GB eUFS閃存的速度是此前48層V-NAND 256GB eUFS的兩倍之多,它的順序讀取速度為860MB/S,順序寫入速度為255MB/S,隨機4K讀取速度為42,000 IOPS,隨機4K寫入速度為40,000 IOPS。

          閃迪發布旗下首款UFS2.1閃存  連續寫入最高600BM/S

           

          好了,以上所寫就是閃迪發布旗下首款UFS2.1閃存 連續寫入最高600BM/的全部內容,由本站作者:u盤精靈的原創文章僅此參考,具體的u盤技術操作和了解更多的u盤知識請關注本站http://www.radioplusfm.com。轉載請注明,謝謝!

          ------分隔線----------------------------
          欄目列表
          推薦內容
          在线观看的av网站_再深点灬舒服灬太大了视频_2021久久国自产拍精品_琪琪电影网午夜理论片在线观看